SiC kraftelektronik – Från koncept till pilotproduktion

Heltäckande lösning inom SiC-kraftelektronik, detektorer och sensorkomponenter – Från koncept till pilotproduktion

Oavsett om du utvecklar MOSFET:ar, högspänningsdioder, IGBT:er eller avancerade enhetsarkitekturer är RISE din partner för hela SiC-utvecklingsflödet.

En verkligt heltäckande SiC-lösning

RISE stödjer varje steg i ditt SiC-projekt under samma tak:

• Komponentkoncept, design och TCAD-simulering
• Anpassad SiC-epitaxiell tillväxt
• Skivbearbetning och prototypframtagning i renrum
• Elektrisk karaktärisering, robusthets- och tillförlitlighetsbedömning
• Pilotproduktion och processöverföring

Genom att integrera material-, komponent- och processexpertis eliminerar vi överlämningar, förkortar utvecklingscykler och säkerställer att din komponent presterar som avsett – från första skivan till pilotskala.

Varför företag väljer RISE

Heltäckande ansvar
Vi tar ansvar för hela SiC-utvecklingskedjan, vilket minskar teknisk risk och påskyndar time-to-market.

Anpassad SiC-epitaxi – byggd för din enhet
Vår flexibla epitaxitjänst levererar skivor skräddarsydda efter dina exakta komponentkrav, från standard MOSFET-strukturer till komplexa flerskikts- och högspänningsdesigner.

Från prototyp till pilotproduktion
Med pilotproduktionsvolymer bygger RISE bron mellan FoU och tillverkning – vilket möjliggör smidig uppskalning utan omdesign.

30+ års expertis inom SiC och wide bandgap
RISE har varit i framkant inom SiC-kraftenheter sedan tidigt 1990-tal och samarbetar med ledande industri- och forskningsorganisationer världen över. Vårt team är erkända världsexperter.

Avancerade kapaciteter som möjliggör verklig differentiering

• Tjock epitaxi upp till 250 µm för högspännings- och ultrahögspänningsenheter
• Flerskikts- och återväxtepitaxi för IGBT:er, BJT:er, super-junction, begravda strukturer
• Stöd för 200 mm, 150 mm och 100 mm skivor
• Branschledande epi-kvalitet

All utveckling och pilotproduktion utförs internt på RISE SiC Technology Pilot Line i Kista, Stockholm.

Designad för industriell påverkan

RISE End-to-End Power Semiconductor SiC Device Technology är mer än bara tillverkning – det är ett samarbetspartnerskap. Vi arbetar nära ditt team för att optimera kopplingen mellan epitaxiell struktur, komponentdesign och prestanda på systemnivå.

Från första prototyp till pilotproduktion hjälper vi dig att innovera snabbare, minska risk och nå marknaden med självförtroende för krävande tillämpningar inom:

• Fordonsindustri och elektrifiering av transport
• Datacenter och högeffektiv kraftinfrastruktur
• Försvar och verksamhetskritiska system
• Förnybar energi och energilagring
• Industriell kraft och automation
• Järnväg och kraftnätsinfrastruktur

Vårt fokus är inte bara materialkvalitet – utan enhetsprestanda, tillverkningsbarhet och kommersiell beredskap.

Bortom kraftelektronik – SiC-detektorer och sensorenheter

Utöver kraftelektroniska komponenter stödjer vi på RISE även utveckling och tillverkning av kiselkarbidbaserade detektor- och sensorkomponenter. Samma heltäckande infrastruktur som används för avancerade kraftenheter är direkt tillämpbar på ett brett spektrum av högpresterande tillämpningar för sensorik.

Exempel på komponenttyper som stöds inkluderar:

• Strålningsdetektorer för krävande miljöer
• Gas- och kemiska sensorer baserade på Schottky- och MOS-strukturer
• Temperatur- och trycksensorer för drift vid hög temperatur
• Fotodetektorer och lavinstrukturer för UV och djup UV

Varför SiC är idealiskt för sensorik SiC erbjuder en unik kombination av brett bandgap, hög termisk stabilitet, utmärkt stråltålighet och kemisk robusthet, vilket gör det väl lämpat för sensorer och detektorer som arbetar i extrema miljöer där kisel inte kan användas.

Redo att utveckla din anpassade SiC-enhet?

Redo att påskynda din anpassade SiC-enhetsinnovation? Kontakta våra experter och upptäck hur RISE kan förvandla ditt enhetskoncept till verklighet – från anpassad epitaxi till validerad prestanda.