Mietek Bakowski föddes i Bydgoszcz, Polen, 1946. Han fullföljde studier vid fakulteten för elektronik vid Warszawas tekniska universitet 1964-1969. År 1970 började han som forskningsassistent vid Institutionen för elektronfysik III vid Chalmers tekniska högskola, CTH, Göteborg, där han fick doktorsgrad 1974 och docentkompetens 1981. 1983 började han på ASEA (senare ABB), Västerås, där han arbetade som halvledarspecialist fram till 1991 med utveckling av kraftkomponenter för motordrift tillämpningar. Han gick med i gruppen Power Semiconductor Devices vid Institutet för mikroelektronik, Kista, 1991 där han arbetade med olika BiMOS och bipolära kraftkomponenter för motordrift och HVDC tillämpningar. Sedan 1994 arbetar han med Power Electronics-gruppen på RISE med design, simulering och elektrisk utvärdering av SiC och GaN komponenter. Huvudfokus för hans verksamhet har varit fysik, design, technologi, tillförlitlighet och tillämpningar av krafthalvledare och MOS komponenter. Han har varit adjungerad professor vid institutionen för Fasta tillståndets fysik vid KTH, Electrum, Kista, (2000 - 2003) och utnämndes till Affilierad professor vid KTH:s Ingenjörsvetenskapliga skola 2012. Han är medarrangör av ECS Symposium on GaN och SiC Power Technologies (sedan 2012) och medlem av International Advisory Committee to New National Program (2017-2023) på WBG halvledare i Busan City, Sydkorea. Dr. Bakowski är en ledande organisatör av International Workshop on Applications of WBG Power Electronics, SCAPE (ISICPEAW) och senior expert och manager för WBG Power Center på RISE.