Hoppa till huvudinnehåll
RISE logo

SiC Power MOSFETs prestanda, robusthet och tillförlitlighet - status och trender

Är du intresserad av att lära dig mer om halvedare med brett bandgap, som kiselkarbid och galliumnitrid? Eller av att starta projekt med delfinansiering från Energimyndighetens program inom samma område? Då kan seminariumet som WBG Power Center arrangerar den 22 november vara något för dig.

RISE med partners anordnar, inom ramen för WBG Power Center – ett initiativ av RISE, KTH och Swerim, ett seminarium i syfte att sprida erfarenheter inom SiC och GaN, men också för att nå ut till nya aktörer, främst företag.

Alberto Castellazzi, professor vid Nottinghamuniversitetet, kommer att tala om tillförlitligheten hos MOSFET:ar i kiselkarbid. Han har forskat inom kraftelektronik i nära 20 år och här tittar han speciellt på robusthet – det vill säga hur mycket SiC-transistorerna tål under extrema påfrestningar, som kortslutning, som är ett intressant felfall i många tillämpningar.

Alberto Castellazzi presenterar även utvecklingen av SiC MOSFET:ar – från 650 V upp till 3,3 kV – som har skett under de senaste sju åren.

Seminariet inleds av Hans-Olof Dahlberg från Energimyndigheten som ger en kort presentation av BBG – programmet (Bredbandgapselektronik i energieffektivare kraftelektroniktillämpningar) och information om redan pågående projekt.

Information om evenemanget

Datum: 22 november, 2018

Tid: 10.00 - 12.00

Plats: KTH, Teknikringen 33, Stockholm (Entréplan, Sal Ivar Herlitz)

Anmäl dig här